Новости науки
24.02.01 Магнитные запоминающие устройства
Возможность
замены конденсаторов - хранителей информации в ДЗУПВ (динамических
запоминающих устройствах с произвольной выборкой) - на элементы
микронных размеров из сплавов ферромагнитных материалов (Fe, Ni,
Co) исследуется, начиная с середины 80-х годов. Необходимость
такой замены диктуется тем обстоятельством, что конденсаторы
теряют свой заряд, а, следовательно, и хранимую информацию при
обновлении информации через промежутки в несколько миллисекунд.
Магнитные же элементы не страдают такой амнезией. Многие солидные
фирмы (IBM, Motorola, Hewlett-Packard, Honneywell) озабочены
проблемой магнитных ЗУПВ, но пока только Honneywell удалось
создать коммерческие кристаллы. В 1997 году их магнитные кристаллы
были в 10 раз медленнее, емкость памяти в 256 раз меньше, а стоили
они значительно дороже традиционных полупроводниковых ДЗУПВ. На
фоне отсутствия даже опытных образцов у других фирм магнитная
продукция Honneywell казалась крупным достижением.
Недавно
некий изобретатель Р.М.Лино заявил, что изготовленные им кристаллы
памяти сохраняют информацию многие годы при отключении питания и
срабатывают в 5-10 раз быстрее, чем полупроводниковые кристаллы
ДЗУПВ, при сопоставимой стоимости. К тому же для их производства
всего-то требуется лишь незначительно изменить современные
производственные линейки. Лино не дает подробного описания своих
кристаллов, намекая лишь, что это - матрицы миниатюрных магнитов.
Уверенный в успехе своих идей, изобретатель создал собственную
фирму. Для победы в конкурентной борьбе необходимо удовлетворить
следующим требованиям:
1) технология изготовления магнитных ячеек
микронного масштаба должна быть совместима с существующими
производственными линейками;
2) ячейки должны иметь предельно
малую рассеиваемую мощность, допускающую их использование в
портативных телефонов и смарт-картах;
3) быстродействие ячеек
должно составлять не более 60нс (как у современных
полупроводниковых ДЗУПВ).
Е.Онищенко
|