Новости науки 31.03.01. Такая разная память...
В настоящее время в лабораториях многих известных фирм идет разработка
различных типов нетрадиционных запоминающих устройств, обеспечивающих
высокое быстродействие и надежность работы. Можно уже с уверенностью
утверждать, что через несколько лет нетрадиционные запоминающие
устройства займут достойное место на рынке памяти и конкуренция
будет достаточно жесткой.
Ученые из лабораторий Motorola Lab и DigitalDNA Lab сообщают о
разработке образца магниторезистивного оперативного запоминающего
устройства (МОЗУ) емкостью 256 Кбит. В его основу положена ячейка,
состоящая из одного полупроводникового транзистора и одного магнитного
туннельного перехода. Потребляемая мощность МОЗУ при считывании
составляет 24 мВт при напряжении 3 В, время цикла считывания и записи
- менее 50 нc. Для изготовления образцов использована 0.6 мкм КМОП
технология. В следующей планируемой конструкции МОЗУ емкостью 4
Мбит будет использована 0.2 мкм КМОП технология. Цель разработчиков
- изготовить опытные образцы в 2003 году и начать производство в
2004 году. Они полагают, что основные достоинства МОЗУ - высокое
быстродействие, неограниченное число циклов записи, считывания,
энергонезависимость - позволят революционизировать рынок памяти
(около 48 млрд. долл. в год). Ускоренное тестированное показало,
что среднее время до выхода из строя может превысить 10 лет. Несколько
ранее фирмы IBM и Infineon Technologies AG объявили о планах совместной
разработки МОЗУ для портативных приборов следующего поколения, эти
фирмы также планируют начало промышленного производства на 2004
г.
В то же время фирма Irvine Sensor Corp. планирует разработку модулей
со сверхбыстродействующей сверхпродниковой памятью. Память, собранная
в модуль SuperRouter, может использоваться в сигнальных процессорах,
компьютерах и в системах телекоммуникаций. Модули SuperMemory будут
изготавливаться на основе низкотемпературных сверхпроводников по
Neo-Stacking технологии, запатентованной Irvine Sensor Corp. Постоянная
сверхпроводниковая память является единственной, способной обеспечить
подходящие скорости выборки и передачи данных для работы с ультрабыстрыми
процессорами. Такая память необходима для систем обработки данных
от матриц приемников в фокальной плоскости и сверхбыстрых и сверхплотных
матриц переключателей в телекоммуникационных системах. При планируемых
плотностях упаковки и быстродействии критическим моментом становится
способ сборки. Наиболее подходящий √ трехмерная технология упаковки
фирмы Irvine Sensor, которая позволит собирать кристаллы с памятью
вертикальным набором в мнокристальные модули с размерами меньше
1 кв. дюйма. Только при такой сборке будут исключены потери времени
на передачу данных, и только сверхпроводниковая память сможет обеспечить
минимальные тепловыделения, способные не перегреть столь плотную
упаковку.
|